Исследованы режимы работы, быстродействие и энергетические характеристики синих, желтых и белых светодиодов. Анализ данных спектроскопических и кинетических исследований показал, что при импульсном синем лазерном облучении светодиоды, излучающие желтый или белый свет, генерируют наносекундные электрические импульсы длительностью до 50 нс. Установлено, что энергии фотонов излучения синего лазера, частично проникающего в белом и желтом светодиодах сквозь Ce:YAG микрокристаллический слой, достаточно для генерации электронно-дырочных пар на высокоэнергетическом межзонном переходе двойной InGaN гетероструктуры. Используя синее лазерное излучение с частотой импульсов до 10 МГц, появляется возможность с большого расстояния фиксировать факт попадания лазерного луча на светодиоды по яркому свечению их Ce:YAG микрокристаллических структур и тем самым поддерживать в них стабильную генерацию электрических импульсов при передаче информации и программировании светодиодных матриц информационных табло, светофоров и экранов
1. Шуберт Ф. Е. Светодиоды /пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. М.: Физматлит, 2008, 496 с.
2. Олешко В. И., Купчишин А. И., Керимбаев Д. Д., Еремина Н. С., Мокроусов Г. М. Разработка и исследование композитных люминесцирующих материалов для светодиодов белого свечения // Известия вузов. Физика. 2013, Т. 56, № 7/2, С. 93-98.
3. Пат. № 2405804, Рос. Федерация, Полимерная люминесцентная композиция для получения белого света, возбуждаемая синим светодиодом / Лазарева Т. К., Андреева Т. И., Осипчик В. С.
4. Барышников В.И., Болондзь А.В. Особенности радиационного и лазерного возбуждения кристаллов, активированных церием // Известия вузов. Физика. 2011, Т.54, № 2/2, С.53–56.
5. Барышников В.И., Болондзь А.В., Колесникова Т.А., Шипаев И.В. Радиационное возбуждение примесей церия и празеодима в кристаллах Y3Al5O12. // Известия вузов. Физика. 2013, Т.54, № 2/2, С.47–50.
6. Nakamura S., Senoh M., Nagahama S., Iwasa N., Yamada T., Matsushita T., Sugimoto Y., Kiyoku H. Room-temperature continuous-wave operation of InGaN multi-quantum-well-structure laser diodes with a long lifetime // Appl. Phys. Lett., 1997, No 70, P.868.
7. Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В. и др. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440 −470 нм. // ФТП. 2010, Т.44, вып.1, С. 96–100.
8. Кавыев А. А. Светодиод-фотодатчик // Радио. 2007, № 6, С. 42–43.